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15N10中文资料

15N10图片

15N10外观图

  • 大小:182.52KB
  • 厂家:UTC[Unisonic Technologies]
  • 描述:UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 15N10 Power MOSFET www.unisonic.com.tw 1 of 5 Copyright ? 2013 Unisonic Technologies Co., Ltd QW-R502-846.B 14.7A, 100V (D-S) N-CHANNEL POWER MOSFET ? DESCRIPTION The UTC 15N10 is an N-Channel enhancement MOSFET, it uses UTC’s advanced technology to provide customers with a minimum on-state resistance, high switching speed and low gate charge. The UTC 15N10 is suitable for high efficiency switching DC/DC converter, LCD display inverter and load switch. ? FEATURES * R DS(ON) =0.08 ? @V GS =10V,I D =8A * Low gate charge (Typ=24nC) * Low C RSS (Typ=23pF) * High switching speed ? SYMBOL ? ORDERING INFORMATION Ordering Number Package Pin Assignment Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 15N10L-TN3
  • 现有数量:2,478现货
  • 价格:1 : ¥4.61000剪切带(CT)2,500 : ¥1.63672卷带(TR)
  • 系列:UMW
  • 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):110 毫欧 @ 10A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):19.2 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):632 pF @ 50 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):55W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:TO-252(DPAK)
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

15N10供应商

更新时间:2022-12-31 04:33:56
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